[发明专利]极大规模集成电路钨插塞CMP后表面洁净方法有效
| 申请号： | 201010231680.X | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101908502A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;牛新环;王辰伟;何彦刚 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B08B1/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 闫俊芬 |
| 地址： | 300130*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及极大规模集成电路钨插塞表面高精密加工过程中钨插塞CMP后表面洁净方法。利用一种碱性介质的水抛液，该水抛液选用活性剂、螯合剂、阻蚀剂组成。当碱性抛光刚刚完成后，马上加入上述水抛液并采用大流量水抛的方法，可将残留的抛光液冲走，吸附易清洗物质迅速降低表面张力并阻止反应继续进行(物理吸附状态)、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物，从而达到洁净、完美的抛光表面。并且该水抛液具有成本低、不污染环境及腐蚀设备的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 极大 规模 集成电路 钨插塞 cmp 表面 洁净 方法 | ||
【主权项】：
一种极大规模集成电路钨插塞CMP后表面洁净方法，其特征在于，按照以下步骤进行(重量wt％)：(1)水抛液的制备：取一定量的去离子水，边搅拌边加入活性剂、螯合剂、阻蚀剂，活性剂的加入量为15 30g/L，螯合剂的加入量为5 20g/L，阻蚀剂的加入量为1 60g/L；(2)碱性CMP后立即使用上述水溶液采用1000g/min 4000g/min的流量进行水抛清洁，水抛时间为30s 3min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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