[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010232060.8 | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102339813A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体衬底；局部互连结构，与所述半导体衬底连接；通孔叠层结构，与所述局部互连结构电连接；其中，所述通孔叠层结构包括：过孔，所述过孔包括上过孔和下过孔，所述上过孔的宽度大于所述下过孔的宽度；过孔侧墙，紧邻所述下过孔的内壁形成；绝缘层，覆盖所述过孔和过孔侧墙的表面形成；导电塞，形成于所述绝缘层围成的空间内，并与所述局部互连结构电连接。本发明适用于半导体制造中的通孔叠层制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体衬底；局部互连结构，与所述半导体衬底连接；通孔叠层结构，与所述局部互连结构电连接；其中，所述通孔叠层结构包括：过孔，所述过孔包括上过孔和下过孔，所述上过孔的宽度大于所述下过孔的宽度；过孔侧墙，紧邻所述下过孔的内壁形成；绝缘层，覆盖所述过孔和过孔侧墙的表面形成；导电塞，形成于所述绝缘层围成的空间内，并与所述局部互连结构电连接。
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