[发明专利]SED显示器表面传导电子发射源的制作方法

摘要

本发明涉及一种SED显示器表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于：按以下步骤进行，a.制造透明玻璃基板；b.选用传导电子发射薄膜，；c.将所述传导电子发射薄膜加工到透明玻璃基板上；d.在所述传导电子发射薄膜两侧设置有与薄膜接触的器件电极；e.在所述透明玻璃基板不具有薄膜的外侧设置照射光束源。本发明提出的传导电子发射源，经过特定波长和强度的紫外光或激光分别照射后，形成电子发射所需的纳米级宽度的狭缝，且狭缝的形状呈无规则排列；采用本发明提出的表面传导电子发射电子源，使得狭缝中间局部的高阻值物质不复存在，从而降低了电子发射源失效的几率。

主权项

一种SED显示器表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于：按以下步骤进行：a．制造透明玻璃基板；b．选用传导电子发射薄膜，所述薄膜可为有机高分子化合物和无机化合物，传导电子发射薄膜的厚度约为10-200 nm，所述有机高分子化合物可采用聚吡咯、聚苯硫醚、聚酞菁类化合物、聚苯胺、聚噻吩、PPY-PVA，所述无机化合物可采用Au、Pt、Pb、C、Al、Ni、ZnO、SnO2、PbO、In2O3/SnO2；c．将所述传导电子发射薄膜可采用磁控溅射法、电子束蒸发法、旋涂法、化学气相沉积法加工到透明玻璃基板上；d．在所述传导电子发射薄膜两侧设置有与薄膜接触的器件电极，所述器件电极材料通常使用Pd，Pt，Ag，Cu，Cr，PdO，ITO，AZO等导电性材料，两电极的间隔为几微米至几十微米，电极宽度为几十微米至几百微米，厚度为几十纳米至几百纳米，所述器件电极可采用磁控溅射法、电子束蒸发法、化学气相沉积法、丝网印刷法加工到基板上；e．在所述透明玻璃基板不具有薄膜的外侧设置照射光束源，所述光束源可为紫外光或激光，光束的波长范围为150-1000 nm，光束照射薄膜的时间范围为5-30s。