[发明专利]一种合成高纯砷烷的方法无效
| 申请号： | 201010233369.9 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101857270A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 尹恩华;武峰;巩建民 | 申请（专利权）人： | 武峰 |
| 主分类号： | C01G28/00 | 分类号： | C01G28/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 277100 山东省枣庄市市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明一种合成高纯砷烷的方法，属于电子气体合成纯化技术领域；该方法包括步骤(1)、粗制砷烷的合成过程：先用砷粉和锌粉制成砷化锌，再与稀硫酸反应得到粗制砷烷；和(2)、高纯砷烷的纯化过程：对粗制砷烷采用液氮冷阱低温真空分离、分子筛吸附干燥和镓-铟合金深吸附脱水、氧。本发明所述的方法能深度脱除氧、水和二氧化碳等电子材料中有害杂质，一般可以达到0.01～0.1ppm以下；纯化剂主体镓-铟合金可以反复使用，使用寿命除化学处理稍许损失外，理论上具有很长的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合成 高纯 方法 | ||
【主权项】：
一种合成高纯砷烷的方法，包括下述步骤：(1)、粗制砷烷的合成过程：先用砷粉和锌粉制成砷化锌，再与稀硫酸反应得到粗制砷烷；(2)、高纯砷烷的纯化过程：将步骤(1)中制得的粗制砷烷先用液氮冷阱低温真空分离，得到的挥发砷烷再用分子筛进行吸附干燥，最后采用镓-铟合金液体深吸附脱水、氧，得到高纯砷烷。
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