[发明专利]一种隧穿晶体管结构及其制造方法

摘要

一种隧穿晶体管结构及其制造方法，在后栅集成工艺中，在栅极的高度方向上形成垂直结构的隧穿晶体管，其相反类型的掺杂区无需额外掩膜就可形成，而且完全集成于后栅工艺中，此外，由于伪栅极的高度决定晶体管的沟道长度，相比较由刻蚀工艺确定的沟道长度，本发明方法形成的沟道长度易得到更好的控制。

主权项

一种隧穿晶体管的制造方法，所述方法包括：A、提供具有第一掺杂类型半导体衬底，其中所述衬底包括由隔离区分隔的有源区；B、在所述半导体衬底上形成第一半导体层，其中所述第一半导体层内包括其上部为第二掺杂类型的PN结；C、在所述第一半导体层的两侧衬底有源区内形成具有第一掺杂类型的第一掺杂区，以及覆盖所述有源区形成层间介质层；D、去除所述第一半导体层的两端，暴露衬底以形成第一开口和第二开口；E、在所述第一和第二开口内分别形成第一栅极和第二栅极，其中所述第一和第二栅极包括栅介质层和栅电极；F、在所述第一掺杂区上形成漏接触，以及在所述第一半导体层上形成源接触，以及在所述第一和第二栅电极上形成栅接触。