[发明专利]压敏传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201010233560.3 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102336388A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 黄志刚;方精训 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压敏传感器的制备方法，为在定锚通孔氧化硅刻蚀之后，增加一步刻蚀硅衬底形成定锚底座孔的步骤，并且采用硅衬底各向同性刻蚀工艺，在后续工艺流程中形成具有定锚底座的定锚，承载压敏传感器主体。并且定锚底座深入到硅衬底中且比较宽大，从而增加压敏传感器主体结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种压敏传感器的制备方法，其特征在于，在硅衬底上的第一牺牲层中刻蚀形成定锚通孔之后，包括如下步骤：1)采用各向同性的刻蚀工艺，刻蚀所述定锚通孔下的硅衬底至硅平面下预定深度，形成定锚底座孔，而后去除光刻胶；2)CMP工艺研磨去除所述硅衬底上的第一牺牲层；3)在所述硅衬底上淀积传感薄膜，所述传感薄膜填充硅衬底中的所述定锚底座孔，形成定锚底座；4)CMP工艺研磨所述传感薄膜至所述硅衬底平面；5)在硅衬底上淀积第二牺牲层；6)采用光刻工艺在所述第二牺牲层上定义出定锚通孔的位置，而后刻蚀所述第二牺牲层至所述硅衬底中的传感薄膜中，形成定锚通孔，之后去除光刻胶；7)在所述第二层牺牲层上再次淀积传感薄膜，所述传感薄膜填充所述定锚通孔形成定锚，最终形成由定锚底座和定锚构成的传感薄膜支撑柱；8)紧接着进行高温退火处理，之后进行传感薄膜图形化等常规的工艺。
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