[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010234115.9 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101964357A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 中野佑纪 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L23/52;H01L21/28;H01L21/768;H01L29/78;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括：由SiC构成的半导体层、和与所述半导体层的一个面直接接合的金属层，在所述半导体层的一侧的表层部分，形成有碳浓度比另一侧的表层部分高的高碳浓度层。而所述半导体装置的制造方法包括：通过热处理，在由SiC构成的半导体层的一面侧的表层部分，形成碳浓度比另一面侧的表层部分高的高碳浓度层的工序；和将金属与所述高碳浓度层直接接合的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：由SiC构成的半导体层、和与所述半导体层的一个面直接接合的金属层，在所述半导体层的一侧的表层部分，形成有碳浓度比另一侧的表层部分高的高碳浓度层。
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