[发明专利]碳纤维增强碳-碳化硅双基体材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010234834.0 申请日: 2010-07-22
公开(公告)号: CN101913895A 公开(公告)日: 2010-12-15
发明(设计)人: 李克智;魏连锋;李贺军;郭领军 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B35/83 分类号: C04B35/83
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 黄毅新
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种碳纤维增强碳-碳化硅双基体材料的制备方法,用于解决现有的C/C-SiC复合材料的制备方法要在高温下通过化学反应引入SiC而导致制备成本高的技术问题。技术方案是将二维针刺碳毡预制体放入SiC料浆中,经过超声波震荡、烘干后,置于热梯度CVI中,以天然气为碳源气体沉积碳,沉积完成后在高温下进行石墨化处理,即得到碳纤维增强碳-碳化硅双基体复合材料。由于在常温下采用超声波震荡技术在纤维预制体中引入SiC颗粒,在保证其它指标不降低的情况下,降低了制备成本。
搜索关键词: 碳纤维 增强 碳化硅 基体 材料 制备 方法
【主权项】:
一种碳纤维增强碳 碳化硅双基体材料的制备方法,其特征在于包括下述步骤:(a)以二维针刺碳毡作为预制体,密度为0.45g/cm3;(b)取粒径为1~40μm的SiC粉末放入水中,加入聚丙烯酸钠使其充分混合配置成质量分数为4~10%的料浆,将料浆置于超声槽中,采用超声波振荡20~40min使料浆分散均匀;(c)将前述预制体放入料浆中,超声波震荡6~12小时,取出置于80~120℃烘箱中干燥;(d)将含有SiC粉末的预制体置于热梯度CVI中,以流量为3.5~5.0m3/h的天然气为碳源气体,沉积温度为980~1020℃,沉积时间为240~280小时;(e)沉积完成后在1600~2100℃高温下进行石墨化处理,即得到碳纤维增强碳 碳化硅双基体复合材料。
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