[发明专利]压电铁电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201010235315.6 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101885606A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 郑慈航;唐刚;刘景全;李倩倩;尹桂林;余震;何丹农 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/472 | 分类号： | C04B35/472;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种锆钛酸铅系陶瓷制备技术领域的压电铁电薄膜的制备方法，通过配制前驱体溶液、利用PLD法制备衬底以及利用Sol-Gel法在PZT结晶种子层上制备压电铁电薄膜实现。本发明利用PLD和Sol-Gel相结合的方法制备的PZT厚膜，对不同的基片适用性强；制备的PZT厚膜具有高度择优取向且晶粒大小均匀、结构致密的突出优点，可制备出3-6微米厚的锆钛酸铅薄膜，剩余极化值Pr为25～45μC/cm2，矫顽场Ec为40～65kV/cm。同时，本发明方法实现成本相对低廉；且该发明程序可控性强，具有很高的工业化运用的价值。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种压电铁电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、配制前驱体溶液：通过将三水醋酸铅晶体溶解于乙二醇甲醚，同时将钛酸四丁酯和硝酸锆依次溶解于乙二醇甲醚和乙酰丙酮并与上述三水醋酸铅-乙二醇甲醚溶液混合后实现前驱体溶液的配置；第二步、制备衬底：在清洗后的基片上用PLD法制备PZT结晶种子层；第三步、制备PZT厚膜：利用Sol-Gel法在PZT结晶种子层上制备压电铁电薄膜。
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