[发明专利]数字逻辑电路无效
| 申请号： | 201010235632.8 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101958329A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 肖军;彭树根;高明辉 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种数字逻辑电路。本发明所提供的数字逻辑电路包括第一绝缘体上硅CMOS结构，其中，所述第一绝缘体上硅CMOS结构包括布置在绝缘体上的第一栅极区域、第一p型源极区域、第一n型源极区域、第一p型漏极区域、第一n型漏极区域；以及第二绝缘体上硅CMOS结构，其中，所述第二绝缘体上硅CMOS结构包括布置在绝缘体上的第二栅极区域、第二p型源极区域、第二n型源极区域、第二p型漏极区域、第二n型漏极区域。本发明通过利用绝缘体上硅CMOS结构而减小了器件结构，并改进了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 数字 逻辑电路 | ||
【主权项】：
一种数字逻辑电路，其特征在于，所述数字逻辑电路包括：第一绝缘体上硅CMOS结构，其中，所述第一绝缘体上硅CMOS结构包括布置在绝缘体上的第一栅极区域、第一p型源极区域、第一n型源极区域、第一p型漏极区域、第一n型漏极区域；其中，围绕第一栅极区域依次布置第一p型源极区域、第一n型源极区域、第一p型漏极区域、第一n型漏极区域；以及第二绝缘体上硅CMOS结构，其中，所述第二绝缘体上硅CMOS结构包括布置在绝缘体上的第二栅极区域、第二p型源极区域、第二n型源极区域、第二p型漏极区域、第二n型漏极区域；其中，围绕第二栅极区域依次布置第二p型源极区域、第二n型源极区域、第二p型漏极区域、第二n型漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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