[发明专利]改善60纳米以下高压器件阈值电压变化曲线的方法无效
| 申请号： | 201010235682.6 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101916721A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了改善60纳米以下高压器件阈值电压沿着沟道长度变化曲线的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅电极，其中，栅电极具有多个间隙，将栅电极分隔为多个部分，栅电极的这些部分将栅介质层分成第一部分栅介质层和第二部分栅介质层，其中第一部分栅介质层为栅介质层被栅电极覆盖的部分，第二部分栅介质层为栅介质层未被栅电极覆盖的部分，其中在高压器件的沟道宽度方向上，每个间隙的宽度均衡。本发明的方法通过对栅电极构图的修改调整了随着高压器件长度改变，阈值电压的变化曲线，使得设计者即使在小尺寸的高压器件的设计中，也能够让该高压器件提供符合规格的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 60 纳米 以下 高压 器件 阈值 电压 变化 曲线 方法 | ||
【主权项】：
一种改善60纳米以下高压器件阈值电压变化曲线的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅电极，其中，所述栅电极具有多个间隙，将所述栅电极分隔为多个部分，所述栅电极的这些部分将所述栅介质层分成第一部分栅介质层和第二部分栅介质层，其中第一部分栅介质层为所述栅介质层被所述栅电极覆盖的部分，第二部分栅介质层为所述栅介质层未被栅电极覆盖的部分，其中在所述高压器件的沟道宽度方向上，所述每个间隙的宽度均衡。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010235682.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：散热板及其制作方法
- 下一篇：一种直接液冷芯片强化传热表面的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
