[发明专利]一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法有效
| 申请号： | 201010235870.9 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101905858A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 杨晋玲;解婧;刘云飞;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。由于金属Ti在HF基腐蚀液中的电化学电势低于结构层半导体材料的电化学电势，因而Ti替代半导体材料，与贵金属层构成原电池，并作为原电池正极在HF基腐蚀液中发生氧化反应，从而有效避免了半导体结构层材料被电化学腐蚀，并保证了金属层与其它结构层的牢固结合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 mems 器件 结构 材料 电化学 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，其特征在于，该方法是在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。
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