[发明专利]加热装置、衬底处理装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010236145.3 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101964303A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 村田等;小杉哲也;杉浦忍;上野正昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供加热装置、处理衬底的衬底处理装置、以及半导体装置的制造方法，其课题在于，抑制发热体的偏移，并抑制基于发热体的热变形的保持件的剪切，抑制发热体发生了热膨胀时的发热体与隔热体的接触，降低加热装置的构成部件的损伤。加热装置具有：发热体，该发热体的两端固定，通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行状；保持体承受部，该保持体承受部分别设在谷部的末端，作为具有比谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成；隔热体，该隔热体设置在发热体的外周；保持体，该保持体配置在保持体承受部内并固定在隔热体上，并且加热装置具有：形成为环状的发热体；以围绕发热体的外周的方式设置的隔热体；将发热体固定在隔热体的内壁上的固定部，设定为：至少在发热体为室温状态时，发热体与隔热体的内壁之间的距离随着从固定部远离而变大。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 装置 衬底 处理 以及 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种加热装置，具有：发热体，该发热体的两端固定，通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行状；保持体承受部，该保持体承受部分别设在所述谷部的末端，作为具有比所述谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成；隔热体，该隔热体设置在所述发热体的外周；保持体，该保持体配置在所述保持体承受部内并固定在所述隔热体上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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