[发明专利]等离子处理装置和等离子处理方法有效
| 申请号： | 201010236449.X | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101990353A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 桧森慎司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子处理装置和等离子处理方法。该等离子装置和等离子方法能够抑制装置制造成本的增加，并且能够对等离子处理状态进行细微控制，从而能够提高等离子处理的面内均匀性。该等离子蚀刻装置具有：下部电极，兼用作载置基板的载置台；上部电极，与下部电极相对地配置；第1高频电源，用于对下部电极或上部电极施加等离子体产生用的第1频率的高频电力；第2高频电源，用于向下部电极施加频率比第1频率低的离子牵引用的第2频率的高频电力；偏压分布控制用电极，在与下部电极绝缘的状态下，设置在该下部电极上的至少周缘部；偏压分布控制用电源，用于对偏压分布控制用电极施加频率比第2频率低的第3频率的交流电压或矩形波电压。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子处理装置，其特征在于，具有：处理室，其内部能够收容基板；下部电极，其配置在上述处理室内，兼用作载置上述基板的载置台；上部电极，其与上述下部电极相对地配置在上述处理室内；第1高频电源，其用于对上述下部电极或上述上部电极施加等离子体产生用的第1频率的高频电力；第2高频电源，其用于对上述下部电极施加频率比上述第1频率低的离子牵引用的第2频率的高频电力；偏压分布控制用电极，其在与上述下部电极电绝缘的状态下，设置在该下部电极上的至少周缘部；偏压分布控制用电源，其用于对上述偏压分布控制用电极施加频率比上述第2频率低的第3频率的交流电压或矩形波电压。
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