[发明专利]制造器件的方法无效
| 申请号： | 201010238002.6 | 申请日： | 2010-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101989542A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | A·G·多曼尼库奇;T·L·凯恩;S·纳拉辛哈;K·A·纳米;V·昂塔路斯;王允愈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及制造器件的方法。提供了一种使用一系列退火处理制造器件的方法。更具体地，示出并描述了使用低温退火以消除位错缺陷而制造的逻辑NFET器件、制造NFET器件和设计结构的方法。所述方法包括在栅极结构之上形成应力衬里和对所述栅极结构和应力衬里进行低温退火处理，以在所述栅极结构附近的单晶硅中形成堆垛力作为记忆应力效应的手段。所述方法还包括从所述栅极结构剥离所述应力衬里和对器件进行高温下的激活退火。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造器件的方法，包括以下步骤：在栅极结构之上形成应力衬里；对所述栅极结构和应力衬里进行低温退火处理以形成堆垛力；从所述栅极结构剥离所述应力衬里；以及对所述栅极结构进行激活退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
