[发明专利]半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010238281.6 | 申请日： | 2010-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102339767A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 郭夔孝;陈宜兴 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，包括：在表面设有电极垫及保护层的半导体硅基材上形成封盖层，以使该封盖层覆盖住该电极垫及其周围的部分保护层；在该保护层及封盖层上形成覆盖层，且使该覆盖层形成有外露出部分封盖层的开孔；在外露出该覆盖层开孔的封盖层上形成接着金属层，并使该接着金属层电性连接该封盖层，其中，该接着金属层的直径尺寸小于或等于该封盖层的直径尺寸；以及于该接着金属层外表面形成导电元件。本发明通过封盖层提供较好的缓冲效果，以避免电极垫直接承受导垫元件所传递的应力作用而发生脱层或裂损等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一表面设有电极垫及保护层的半导体硅基材，该保护层覆盖该部分电极垫及半导体硅基材；在该电极垫上形成封盖层，以使该封盖层覆盖住该电极垫及其周围的部分保护层；在该保护层及封盖层上形成覆盖层，且使该覆盖层形成有外露出部分封盖层的开孔；以及在外露出该覆盖层开孔的封盖层上形成接着金属层，并使该接着金属层电性连接该封盖层，其中，该接着金属层的直径尺寸小于或等于该封盖层的直径尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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