[发明专利]多晶铸锭晶体生长工艺无效
| 申请号： | 201010238290.5 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101974780A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 李会吴;周基江;陈方芳 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种多晶铸锭晶体生长工艺，特别是在晶体生长末期中心长晶透顶触发前的第一个适当时间段内降低温降速率并缓慢下移隔热笼、在第二个适当时间段内引入温升速率升温并较快速下移隔热笼对硅熔体保温抑制杂质过早形核生长，随之触发中心长晶透顶报警。采用本发明在晶体生长过程中可以有效地克服在晶体生长末期阶段组分长时过冷，抑制硅熔体中碳、氮杂质过早形核生长，使其主要富集于晶锭头部低少子寿命切除层中，从而提高产品良率。本发明可以很好地抑制硅熔体中杂质过早形核，使碳、氮等杂质主要形核富集于晶体头部低少子寿命切除区，近而提高产品良率，进一步降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 铸锭 晶体生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种多晶铸锭晶体生长工艺，其特征在于包括以下步骤：在长晶后期减小温降速率、下移隔热笼、适时引入温升速率升温来避免组分过冷抑制杂质过早形核而使其形核生长于晶锭头部低少子寿命截除区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司，未经常州天合光能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010238290.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可拆式自动喷水安全环保汽车雨刷
- 下一篇：汽车燃油加油管无弹簧油杯盖
