[发明专利]一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法无效
申请号: | 201010238694.4 | 申请日: | 2010-07-28 |
公开(公告)号: | CN102337512A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 李灿;程士敏;任通;高惠平;应品良 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/46 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 马驰 |
地址: | 116023 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及一种以碳化钽包覆钽丝为催化剂用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。将此热丝催化剂用于硅薄膜的制备,催化剂表面的碳化钽层得到了很好的保持,没有观测到硅化物的生成,即表现出很好的抗老化性能,具有明显延长热丝催化剂使用寿命的潜力。本催化剂制备方法简单,条件易于控制,适用于热丝化学气相沉积制备各种晶化度的本征、掺杂及化合物硅薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 使用 碳化 钽包覆钽丝 催化剂 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法,其特征在于,采用热丝化学气相沉积装置,以碳化钽包覆钽丝为催化剂,通过热丝化学气相沉积过程制备硅薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的