[发明专利]固态摄像元件及其制造方法及包括该摄像元件的摄像装置有效
申请号: | 201010239532.2 | 申请日: | 2010-07-27 |
公开(公告)号: | CN101989611A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 押山到;宫田英治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/225 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种固态摄像元件及其制造方法以及摄像装置,该固态摄像元件包括:半导体层,其中形成用于执行光电转换的光敏二极管;第一膜,包含负固定电荷,并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在至少形成有光敏二极管的区域中的半导体层上;第二膜,包含负固定电荷,并且利用物理气相沉积法形成在其中包含负固定电荷的第一膜上;以及第三膜,包含负固定电荷,并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在其中包含负固定电荷的第二膜上。 | ||
搜索关键词: | 固态 摄像 元件 及其 制造 方法 包括 装置 | ||
【主权项】:
一种固态摄像元件,包括:半导体层,在该半导体层中形成用于执行光电转换的光敏二极管;第一膜,包含负固定电荷,并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在至少形成有所述光敏二极管的区域中的所述半导体层上;第二膜,包含负固定电荷,并且利用物理气相沉积法形成在其中包含所述负固定电荷的所述第一膜上;以及第三膜,包含负固定电荷,并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在其中包含所述负固定电荷的所述第二膜上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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