[发明专利]具有掩埋栅的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010241063.8 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102117765A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 辛锺汉;朴点龙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L23/528;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底之上形成连接插塞；通过刻蚀所述连接插塞之间的衬底来形成沟槽；形成掩埋栅，以部分地填充所述沟槽；形成间隙填充层，以将所述掩埋栅的上侧面间隙填充；形成所述连接插塞的突出部分；以及修整所述连接插塞的突出部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底之上形成多个连接插塞；通过刻蚀所述多个连接插塞之间的衬底来形成沟槽；形成掩埋栅，以部分地填充所述沟槽；形成间隙填充层，以将所述掩埋栅的上侧面间隙填充；形成所述多个连接插塞的突出部分；以及修整所述多个连接插塞的突出部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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