[发明专利]采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法

摘要

本发明采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束进行电子注入，从而去除多晶硅中杂质硼的方法。该方法首先利用高温加热炉加热硅粉，然后将其置于电子束熔炼炉中，低束流电子束轰击硅粉，最后用HF酸溶液除去硅粉表面氧化膜得到低硼硅粉。本发明的显著效果是采用了电子束释放电子显负电的电效应，结合硅材料本身的特点，增强了硅料自身的微电场，在温度的驱动下使硼扩散到界面进而进入到二氧化硅层中，最后酸洗去除含有硼的二氧化硅膜，从而达到去除杂质硼的目的，以满足太阳能级硅的使用要求，其提纯效果好，稳定性好，能耗小，成本低，工艺简单，周期短，生产效率较高。

主权项

一种采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征在于，首先利用高温加热炉加热硅粉，然后将其置于电子束熔炼炉中，低束流电子束轰击硅粉，最后用HF酸溶液除去硅粉表面氧化膜得到低硼硅粉，具体步骤如下：首先取一定量高硼硅粉用HF酸溶液清洗1‑5小时，去除表面氧化膜，得到无膜硅粉；用去离子水清洗6‑7次，直到溶液呈中性，放入烘干箱中50℃温度下烘干；利用高温加热炉加热硅粉，加热温度为1050℃，加热时间为8‑12小时，使其表面氧化形成SiO2氧化膜；然后进行电子束电子注入，将含氧化膜的硅粉置于电子束熔炼炉中，以30mA的束流轰击含氧化膜的硅粉1‑5小时；电子注入后，用浓度为30％‑50％的HF酸溶液清洗2‑5小时，以去除硅粉表面的氧化膜；最后用去离子水清洗6‑7次，直到溶液呈中性，得到硼的含量小于0.0001％的低硼硅粉。