[发明专利]一种去除工业硅中硼的方法无效

专利信息
申请号: 201010242101.1 申请日: 2010-07-29
公开(公告)号: CN101913608A 公开(公告)日: 2010-12-15
发明(设计)人: 谭毅;姜大川;董伟;顾正;彭旭 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 关慧贞
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9%以上的石英环中,在电子束作用下熔炼,利用高真空度将氧化硼去除。先将工业硅料放入石英环中;再将石英环放入水冷铜坩埚中,关闭真空装置盖。其所采用装置由真空装置盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶内腔即为真空室。可以将分凝系数较大的硼用电子束熔炼去除,有效提高了多晶硅的纯度,具有效率高、装置简单、节约能源的优点。
搜索关键词: 一种 去除 工业 硅中硼 方法
【主权项】:
一种工业硅除硼的方法,其特征在于,用将工业硅料(4)放入纯度为99.9%以上的石英环(5)中,在电子束(1)作用下熔炼,利用高真空度将氧化硼去除,具体步骤如下:先将工业硅料(4)放入石英环(5)中;再将石英环(5)放入水冷铜坩埚(7)中,关闭真空装置盖(2);用机械泵(6)、罗兹泵(8)将真空室(3)抽真空,抽到低真空1pa,再用扩散泵(9)将真空抽到高真空10 3pa以下;然后给电子枪(1)预热,设置高压为25 35kW,高压预热5 10分钟,关闭高压,设置电子枪(1)束流为70 200mA,束流预热5 10分钟,关闭电子枪(1)束流;同时打开电子枪(1)的高压和束流,稳定后用电子枪(1)轰击工业硅料(4),增大电子枪(1)束流到500 800mA,持续轰击30 50分钟;以每分钟50 200mA的速度调低电子枪(1)的束流直到关闭;最后依次关闭扩散泵(9)、罗兹泵(8)、机械泵(6)待温度降到200℃左右时,打开放气阀(11),打开真空装置盖(2)取出硅材料。
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