[发明专利]一种聚合物基的纳米晶存储器电容及其制作方法无效
| 申请号： | 201010242586.4 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101916825A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 黄玥;丁士进 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体存储器的制造技术领域，具体为一种聚合物基的纳米晶存储器电容及其制作方法。本发明以酞菁铜聚合物薄膜中嵌入锑纳米晶作为非挥发存储器中的电荷存储部分，具体包括半导体硅衬底、硅衬底上的无机介质层、第一层酞菁铜聚合物薄膜、锑纳米晶、第二层酞菁铜聚合物薄膜、金属电极。其中，无机介质层和第一层酞菁铜聚合物薄膜作为电荷隧穿层，锑纳米晶作为电荷电荷存储中心，第二层聚合物薄膜为电荷阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚合物 纳米 存储器 电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种聚合物基的纳米晶存储器电容，其特征在于依次为：半导体硅衬底、硅衬底上的无机介质层、第一层酞菁铜聚合物薄膜、锑纳米晶、第二层酞菁铜聚合物薄膜、金属电极；其中，无机介质层和第一层酞菁铜聚合物薄膜作为电荷隧穿层，锑纳米晶作为电荷存储中心，第二层聚合物薄膜作为电荷阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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