[发明专利]MOSFET结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201010242722.X | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102347357A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MOSFET结构及其制作方法。该MOSFET结构包括：半导体衬底；栅堆叠，位于所述半导体衬底上，所述栅堆叠包括在半导体衬底上依次形成的高k栅介质层和栅极导体层；第一侧墙，至少环绕所述高k栅介质层的外侧，并由含La氧化物形成；第二侧墙，环绕所述栅堆叠和第一侧墙的外侧，并比所述第一侧墙高。本发明的实施例适用于集成电路制造。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底；栅堆叠，位于所述半导体衬底上，所述栅堆叠包括在半导体衬底上依次形成的高k栅介质层和栅极导体层；第一侧墙，至少环绕所述高k栅介质层的外侧，并由含La氧化物形成；以及第二侧墙，环绕所述栅堆叠和第一侧墙的外侧，并比所述第一侧墙高。
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