[发明专利]半导体器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010242725.3 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102347358A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/522;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体器件结构及其制造方法，该半导体器件结构，包括：半导体衬底；沟道区，形成于所述半导体衬底上；栅极区，形成于所述沟道区上；源/漏区，形成于所述沟道区两侧；金属塞，与所述栅极区或源/漏区接触；介质层，围绕所述金属塞形成，并且从所述金属塞的底部到顶部，所述介质层是一次成型的。本发明的实施例适用于增强器件的沟道应力，并且减少器件的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：半导体衬底；沟道区，形成于所述半导体衬底上；栅极区，形成于所述沟道区上；源/漏区，形成于所述沟道区两侧；金属塞，与所述栅极区或源/漏区接触；介质层，围绕所述金属塞形成，并且从所述金属塞的底部到顶部，所述介质层是一次成型的。
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