[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，到达单元晶体管扩散区的第一接触孔、到达单元晶体管扩散区的位线接触孔和与位线接触孔连通的互连凹槽被掩埋在第一绝缘膜中。另外，通过将导电材料掩埋在第一接触孔、位线接触孔和互连凹槽中，分别形成第一接触插塞和位线接触，并且第一接触插塞通过在第二绝缘膜中形成的开口被电连接到在第三绝缘膜中形成的电容器。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底的存储器区中形成单元晶体管，以及在所述半导体衬底的逻辑区中形成逻辑器件；形成第一绝缘膜，所述第一绝缘膜用于覆盖所述半导体衬底上方的所述单元晶体管和所述逻辑器件；通过利用蚀刻对所述第一绝缘膜进行选择性地处理，形成位线互连凹槽；通过利用蚀刻对所述第一绝缘膜进行选择性地处理，形成到达所述单元晶体管的第一扩散区的第一接触孔，以及形成到达所述单元晶体管的第二扩散区并且与所述互连凹槽连通的位线接触孔；通过将导电材料掩埋在所述第一接触孔中，形成第一接触插塞，以及通过将导电材料掩埋在所述位线接触孔和所述互连凹槽中，分别形成位线接触插塞和位线；形成第二绝缘膜，所述第二绝缘膜用于覆盖所述第一绝缘膜上方的所述第一接触插塞和所述位线；通过利用蚀刻对所述第二绝缘膜进行选择性地处理，形成到达所述第一接触插塞的第一开口；在形成所述第一开口之后，在所述第二绝缘膜上方形成第三绝缘膜；通过利用蚀刻对所述第三绝缘膜进行处理，形成与所述第一开口连通的凹部；以及在所述凹部中形成电容器，所述电容器通过所述第一开口被电连接到所述第一接触插塞。