[发明专利]栅极绝缘膜介质击穿寿命评估方法、评估装置及评估程序无效
| 申请号： | 201010243614.4 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101995536A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 辻川真平 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12;G01R31/26;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了栅极绝缘膜介质击穿寿命评估方法、评估装置及评估程序，以用于评估MOS型元件的栅极绝缘膜的介质击穿寿命。所述评估方法包括如下步骤：确定直到达到所述MOS型元件的栅极绝缘膜的软击穿为止的寿命分布的威布尔斜率；在上述步骤之后根据所确定的威布尔斜率来确定所述软击穿的检测条件；以及利用所确定的检测条件来执行介质击穿试验。所述评估装置包括：电压供给单元，它向所述MOS型元件提供电压以向所述MOS型元件施加电应力；电流测定单元，它测定流过所述栅极绝缘膜的漏电流；以及温度保持单元，它将包含所述MOS型元件的试验元件保持在室温以下。根据本发明的评估方法、评估装置及评估程序，能够适当地判定介质击穿寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 绝缘 介质击穿 寿命 评估 方法 装置 程序 | ||
【主权项】：
一种栅极绝缘膜介质击穿寿命评估方法，用于评估MOS型元件的栅极绝缘膜的介质击穿寿命，该评估方法包括如下步骤：确定直到达到所述MOS型元件的栅极绝缘膜的软击穿为止的寿命分布的威布尔斜率；在上述步骤之后根据所确定的威布尔斜率来确定所述软击穿的检测条件；以及利用所确定的检测条件来执行介质击穿试验。
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