[发明专利]用于半导体晶体管的垂直鳍状结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010243667.6 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101989617A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/26;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于半导体晶体管的垂直鳍状结构及其制造方法，该鳍状结构包括：一半导体基板；一鳍型层，位于该半导体基板的顶部；以及一上盖层，覆盖该鳍型层，其中该半导体基板包括一IV族半导体材料，该鳍型层包括一IV族半导体材料。该半导体基板包括Si、Ge、SiGe或SiC。该鳍型层包括Ge、SiGe、SiC或上述材料的组合。该上盖层包括GaAs、InGaAs、InAs、InSb、GaSb、GaN、InP或上述材料的组合。该上盖层与该半导体基板之间具有多于4％的晶格不相称情形。该鳍型层可位于作为隔离邻近装置的浅沟槽隔离层之间。本发明借由采用较高晶格不匹配常数材料可造成极高迁移率的沟道。此外，可于Ge材质以及高Ge含量的SiGe装置内采用III-V族上盖层以改善栅介电物的界面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶体管 垂直 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体晶体管的垂直鳍状结构，包括：一半导体基板；一鳍型层，位于该半导体基板的顶部；以及一上盖层，覆盖该鳍型层，其中该半导体基板包括一IV族半导体材料，该鳍型层包括一IV族半导体材料，该上盖层包括一III‑V族半导体化合物，该鳍型层作为该半导体晶体管的沟道层，而该沟道层施加应变至该鳍型层之上以增加通过该沟道区的迁移率。
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