[发明专利]纳米硅薄膜四岛-梁-膜传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201010243854.4 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101922984A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 丁建宁;沈思国;范真;程广贵;潘海彬;范慧娟 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L9/04;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及超微压力传感器，特指纳米硅薄膜四岛-梁-膜传感器芯片及其制备方法。所述传感器芯片为正方形，采用单晶硅作为芯片材料，纳米硅作为敏薄电阻材料；芯片有效区域为正方形，其背面由4个大岛和4个小岛组成，小岛位于大岛之上；有效芯片区域的正面由1个中央梁、2个边缘梁、2片平膜区域及2片梁膜区域构成，中间梁和边缘梁上设有纳米硅材料做成的电阻。本发明利用了双岛梁膜的优点，岛与梁的结合，起到了二次应力集中的效果，提高了传感器的灵敏度和线性度，将四个电阻分别放在中间梁和边缘梁上，通过电阻将应力转化为阻值的变化。中间与边缘的电阻变化大小相等、符号相反，通过惠斯通电桥，采用恒流源激励，实现对超微压力的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 薄膜 传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
纳米硅薄膜四岛—梁—膜传感器芯片，其特征在于：所述纳米硅薄膜四岛—梁—膜传感器芯片为正方形，采用单晶硅作为芯片材料，纳米硅作为敏薄电阻材料；芯片有效区域为正方形，其背面由4个大岛(2)和4个小岛(3)组成，小岛(3)位于大岛(2)之上；有效芯片区域的正面由1个中央梁(7)、2个边缘梁(4)、2片平膜区域(5)及2片梁膜区域(6)构成，中间梁(7)的中心位置位于芯片正面的中央，梁膜区域(6)中心与芯片中心在一条水平直线上，并关于芯片中心对称分布；2个边缘梁(4)中心位置与芯片中心在同一水平直线上，位于梁膜区域(6)的外端；平膜区域(5)位于梁膜区域(6)、中间梁(7)及边缘梁(4)之外的芯片有效区域内，大岛(4)和小岛(2)对称分布在梁膜区域(6)的背面，中间梁(7)和边缘梁(4)上设有纳米硅材料做成的电阻(1)。
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