[发明专利]倒装结构的发光二极管芯片及制作方法有效
| 申请号： | 201010243992.2 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102347434A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张楠;齐胜利;潘尧波;朱广敏;叶青;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的倒装结构的发光二极管芯片及制作方法，其先在生长衬底上采用外延法依次生长出N型半导体层、量子阱层、及P型半导体层，并在N型半导体层上制作出第一N电极，在P型半导体层上制作出用于键合的第一P电极，由此形成待键合的芯片结构，再在另一高导热衬底上制作出与所述芯片结构上的第一N电极及第一P电极分别对应的第二N电极和第二P电极，并使所述第二N电极和第二P电极相互电隔离，由此形成待键合的基底结构，然后将所述芯片结构和基底结构键合，由此形成的发光二极管芯片，出光效率高，而且也能改善功率型LED的热损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 结构 发光二极管 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种倒装结构的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于包括步骤：1)在一半导体衬底上采用外延法依次生长出N型半导体层、量子阱层、及P型半导体层，并在N型半导体层上制作出第一N电极，在P型半导体层上制作出用于键合的第一P电极，由此形成待键合的芯片结构；2)在另一高导热衬底上制作出与所述芯片结构上的第一N电极及第一P电极分别对应的第二N电极和第二P电极，并使所述第二N电极和第二P电极相互电隔离，由此形成待键合的基底结构；3)将所述芯片结构和基底结构堆叠后，采用高温高压使所述第一N电极与所述第二N电极键合、使所述第一P电极与所述第二P电极键合，由此形成发光二极管芯片。
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