[发明专利]一种提高GaN基LED亮度的方法有效
| 申请号： | 201010244013.5 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102347410A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 周健华;郝茂盛;潘尧波;邢志刚;李士涛;陈诚;朱广敏;张楠;袁根如 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高GaN基LED亮度的方法，在蓝宝石衬底上生长非掺杂GaN层时，先在没有活性氮源的气氛下通入三甲基镓，在蓝宝石衬底上形成一金属层，对其高温处理之后通入氨气进行氮化；然后继续生长非掺杂GaN牺牲层，之后同时停止通入三甲基镓和氨气再次高温处理；最后在粗化的界面上生长常规的非掺杂GaN层，并在其上外延生长完整的LED结构，制备出LED芯片。本发明在蓝宝石和GaN界面形成粗化结构，通过两步腐蚀工艺的结合，可以提高腐蚀密度及腐蚀均匀性，得到比较均匀的、衬底与GaN的粗化界面，从而减少光在GaN层的全反射，提高GaN基LED的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan led 亮度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高GaN基LED亮度的方法，通过在蓝宝石衬底上依次生长非掺杂GaN层及半导体外延层制作LED，所述半导体外延层至少包括N型GaN层、P型GaN层，以及位于所述N型GaN层和P型GaN层之间的有源层，其特征在于，在所述蓝宝石衬底上生长非掺杂GaN层包括如下步骤：步骤一、金属有机物化学气相淀积系统中，在没有活性氮源的气氛下通入三甲基镓，在蓝宝石衬底上形成一层金属层；步骤二、停止通入三甲基镓，高温处理表面附有所述金属层的蓝宝石衬底，温度为900‑1100℃；步骤三、通入氨气进行氮化，然后同时通入三甲基镓和氨气，生长非掺杂GaN牺牲层；步骤四、同时停止通入三甲基镓和氨气，再次进行高温处理，温度为900‑1100℃；步骤五、通入三甲基镓和氨气，生长所述非掺杂GaN层。
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