[发明专利]具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池无效
| 申请号： | 201010244543.X | 申请日： | 2010-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102024861A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 王立康 | 申请（专利权）人： | 王立康 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 何为 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，是以半导体材料为基板的太阳能电池，可为单晶(Single Crystal)、多晶(Polycrystal)或无晶系(Amorphous)等结构，具有数个经由蚀刻或加工等方式形成的深孔洞，且各深孔洞的深度含该基板厚度的四分之一以上，或各深孔洞的洞底表面距离该基板孔洞侧的另一侧表面是含五十微米以下。本发明可降低载子(Carrier)再次结合的机率，增加光能/电能转换效率，不必使用埋藏式电极(buried contact)。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 孔洞 板式 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，包含半导体基板、半导体层、P‑N接面，该半导体层位于该半导体基板一侧的表面上，该P‑N接面由该半导体基板与该半导体层构成，其特征在于：所述半导体基板包含数个深孔洞，构成孔洞区与平坦区；各深孔洞的深度为基板厚度的四分之一以上。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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