[发明专利]一种防止边缘漏电的聚光太阳电池芯片制作方法有效
申请号: | 201010244598.0 | 申请日: | 2010-07-29 |
公开(公告)号: | CN101969086A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 吴志敏;梁兆煊;林桂江;熊伟平;许文翠 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人: | 徐东峰 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种防止边缘漏电的聚光太阳电池芯片制作方法,采用精确半刀切割方法,采用刀口具有倾斜侧面的半刀切割刀片沿电池芯片的切割道开槽,所开槽侧壁同样具有一定倾斜角度;对开槽侧壁进行化学抛光;在电池芯片表面覆盖充当减反射膜的透明绝缘材料,将电池芯片表面钝化防止漏电;用刀口宽度小于半刀切割刀片宽度的常规刀片将芯片划裂,形成单个太阳电池芯片。采用刀口具有倾斜角度的切割刀片对芯片先进行半刀切割,使切割道侧壁具有同样的倾斜角度,可避免芯片在划裂时受损,同时有利于在其上制备高质量及高反射性能的钝化膜;芯片划裂使用的刀片宽度小于半刀切割用刀片,防止划裂时钝化膜被破坏;以得到优良的太阳电池芯片钝化边缘,防止边缘漏电。 | ||
搜索关键词: | 一种 防止 边缘 漏电 聚光 太阳电池 芯片 制作方法 | ||
【主权项】:
一种防止边缘漏电的聚光太阳电池芯片制作方法,其工艺步骤为:采用精确半刀切割方法,采用刀口具有倾斜侧面的半刀切割刀片沿电池芯片的切割道开槽,所开槽侧壁同样具有一定倾斜角度;对开槽侧壁进行化学抛光;在电池芯片表面覆盖充当减反射膜的透明绝缘材料,将电池芯片表面钝化防止漏电;用刀口宽度小于半刀切割刀片宽度的常规刀片将芯片划裂,形成单个太阳电池芯片。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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