[发明专利]应变半导体沟道形成方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201010244987.3 | 申请日： | 2010-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102347235A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种应变半导体沟道形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成SiGe弛豫层；在所述SiGe弛豫层上形成电介质层，在所述电介质层上形成替代栅，所述电介质层和所述替代栅构成了替代栅结构；沉积层间介电层，对所述层间介电层进行平坦化处理，以暴露出所述替代栅；刻蚀去除所述替代栅和所述电介质层，以形成开口；在所述开口中执行选择性半导体外延生长，形成半导体外延层；沉积高K介电层和金属层；以及对所沉积的金属层和高K介电层执行平坦化处理，去除覆盖在所述层间介电层上的高K介电层和金属层，形成金属栅。本发明还提出了一种通过上述工艺制造的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 半导体 沟道 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种应变半导体沟道形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成SiGe弛豫层；在所述SiGe弛豫层上形成电介质层，在所述电介质层上形成替代栅，所述电介质层和所述替代栅构成了替代栅叠层结构；沉积层间介电层，对所述层间介电层进行平坦化处理，以暴露出所述替代栅；刻蚀去除所述替代栅和所述电介质层，以形成开口；在所述开口中执行选择性半导体外延生长，形成半导体外延层；沉积高K介电层和金属层；以及对所沉积的金属层和高K介电层执行平坦化处理，去除覆盖在所述层间介电层上的高K介电层和金属层，形成金属栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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