[发明专利]形成单层纳米结构的方法和器件以及包含这种单层的器件有效
| 申请号： | 201010245267.9 | 申请日： | 2005-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102064102A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | D·L·希尔德;K·C·克鲁登;段镶锋;刘超;J·W·帕斯 | 申请（专利权）人： | 奈米系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了形成纳米结构阵列或对纳米结构阵列形成图案的方法。所述方法涉及在包含纳米结构缔合基团的涂层上形成阵列，用光刻胶形成图案，和/或用器件促进形成阵列。还提供了用来形成纳米结构阵列的相关器件，以及包含纳米结构阵列的器件(例如存储器)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 单层 纳米 结构 方法 器件 以及 包含 这种 | ||
【主权项】：
一种形成纳米结构阵列的方法，该方法包括：提供固体载体，所述载体在其表面包含至少一个垂直的不连续部分，所述不连续部分包含表面上的突起或凹陷，突起或凹陷处在于固体载体的预定位置；在固体载体上沉积溶液，所述溶液包含分散在至少一种溶剂中的纳米结构；蒸发至少部分溶剂，使纳米结构聚集在突起上或凹陷中成阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
