[发明专利]背面照光的CMOS图像传感器无效
| 申请号： | 201010245403.4 | 申请日： | 2010-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102347337A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 霍介光;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种背面照光的CMOS图像传感器，包括：半导体衬底，具有第一表面和与之相对的第二表面；所述半导体衬底包括至少一个像素单元区域；深沟槽结构，位于相邻像素单元区域之间；其中，所述深沟槽结构贯穿所述半导体衬底的第一表面和第二表面，所述深沟槽结构包括填充层和第一绝缘层，其中第一绝缘层位于填充层和相邻像素单元区域之间，所述填充层材料为N型掺杂物质，所述深沟槽结构上输入控制信号，所述控制信号的电位为0.5～1V。本发明改善了CMOS图像传感器的浮像的缺陷，提高了CMOS图像传感器的成像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种背面照光的CMOS图像传感器，包括：半导体衬底，具有第一表面和与之相对的第二表面；所述半导体衬底包括至少一个像素单元区域；深沟槽结构，位于相邻像素单元区域之间；其特征在于，所述深沟槽结构贯穿所述半导体衬底的第一表面和第二表面，所述深沟槽结构包括填充层和第一绝缘层，其中第一绝缘层位于填充层和相邻像素单元区域之间，所述填充层材料为N型掺杂物质，所述深沟槽结构上输入控制信号，所述控制信号的电位为0.5～1V。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
