[发明专利]用于等离子体工艺的系统有效
| 申请号： | 201010245442.4 | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102347207A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陆东;张建 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于等离子体工艺的系统，该系统包括大气传送腔、真空传送腔和等离子体反应腔，该真空传送腔连接在该等离子体反应腔和该大气传送腔之间，该系统还包括至少一个抽气装置，该抽气装置的一端连接在该大气传送腔上，该抽气装置用于从大气传送腔向系统的外部进行抽气。本发明能够改善等离子体工艺中的颗粒状况，提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 工艺 系统 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体工艺的系统，所述系统包括大气传送腔、真空传送腔和等离子体反应腔，所述真空传送腔连接在所述等离子体反应腔和所述大气传送腔之间，其特征在于，所述系统还包括至少一个抽气装置，所述抽气装置的一端连接在所述大气传送腔上，所述抽气装置用于从所述大气传送腔向所述系统的外部进行抽气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010245442.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
