[发明专利]基于光催化技术的半导体纳米及金属纳米微电极阵列的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010245554.X 申请日: 2010-07-30
公开(公告)号: CN101941672A 公开(公告)日: 2011-01-12
发明(设计)人: 田阳;刘岩;李晓光 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B01J19/12
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 张磊
地址: 200092*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于微电极阵列制备领域,涉及一种基于光催化技术的半导体纳米及金属纳米微电极阵列的制备方法,具体步骤有:超亲水纳米TiO2膜的制备;超亲水纳米TiO2表面超疏水/亲水模板的制备;贵金属纳米粒子表面超疏水/亲水模板的制备。本发明技术操作简便,成本低廉,可大面积化,可制备各种形状、各种尺寸的微电极阵列,其尺寸可小至数微米,可制备金、银、钯、铂等一系列贵金属纳米粒子构成的微电极阵列,易于实现批量生产,无毒性,无污染,是一种制备微小电极阵列的“绿色方法”,具有环境友好性和生物适应性。并可用于多通道电化学传感器和培养细胞的载体等方面的功能材料。
搜索关键词: 基于 光催化 技术 半导体 纳米 金属 微电极 阵列 制备 方法
【主权项】:
一种基于光催化技术的半导体纳米及金属纳米微电极阵列的制备方法,其特征在于具体步骤如下:(1)超亲水纳米TiO2膜的制备将铟锡氧化物导电玻璃分别用去离子水、乙醇、1mol/L的KOH水溶液超声清洗半小时,去离子水洗净并吹干,将锐钛矿纳米TiO2溶胶通过旋涂法修饰在铟锡氧化物导电玻璃上,并在723K下烧结1h,得到超亲水纳米TiO2膜;(2)超亲水纳米TiO2表面超疏水/亲水模板的制备将步骤(1)制得的超亲水纳米TiO2膜浸泡在含烷氧基硅基的长链脂肪烃的乙醇溶液中,将光掩膜放在TiO2膜背面,用10‑80mW/cm2紫外光从光掩膜一侧光照5‑200min,得到纳米TiO2表面超疏水/亲水模板;(3)贵金属纳米粒子表面超疏水/亲水模板的制备将贵金属离子水溶液滴加到步骤(2)所得的纳米TiO2表面超疏水/亲水模板上,将光掩膜放在该模板背面,用10‑80mW/cm2紫外光从光掩膜一侧光照1‑60min,即制得所需产物。
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