[发明专利]用于前段工艺制造的原地干洗腔有效
| 申请号： | 201010246116.5 | 申请日： | 2005-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101916740A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | C-T·高;J-P·周;C·赖;S·阿姆托艾;J·休斯顿;S·郑;M·张;X·袁;Y·张;X·陆;W·W·王;S-E·潘 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于从衬底表面上去除天然氧化物的方法和装置。一方面，该腔包括一个腔体和一个至少部分布置在腔体内并适合在其上支撑衬底的支撑装置。该支撑装置包括至少部分在其中形成并能冷却衬底的一个或多个流体通道。该腔进一步包括布置在腔体上表面的盖装置。该盖装置包括在其间限定了等离子空腔的第一电极和第二电极，其中第二电极适合连接地加热衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 前段 工艺 制造 原地 干洗 | ||
【主权项】：
一种衬底支撑装置，包括：一个主体，所述主体具有通过其布置的一个或多个流体管道；一个布置在所述主体第一端上的支撑构件，所述支撑构件具有在其上表面中形成的一个或多个流体通道，其中每个流体通道与所述一个或多个流体管道流体连通；和一个其中形成有多个孔的第一电极，所述第一电极被布置在所述支撑构件的上表面上，以使所述多个孔中的每一个与在所述支撑构件上表面形成的一个或多个流体通道中的至少一个流体连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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