[发明专利]蚀刻气体的控制系统有效
| 申请号： | 201010247286.5 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102004500A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 高诚庸;金珉植;李炳日;文熙锡;李洸旼;金起铉;李元默 | 申请（专利权）人： | 显示器生产服务株式会社 |
| 主分类号： | G05D7/06 | 分类号： | G05D7/06;C23F1/08;C23F1/12 |
| 代理公司： | 广州弘邦专利商标事务所有限公司 44236 | 代理人： | 张钇斌 |
| 地址： | 韩国京畿道水原市灵通*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种蚀刻气体的控制系统。所述的控制系统包括一个质量流动控制单元，一个流率控制单元和一个调节气体控制单元。所述的质量流动控制单元控制输入到内室中的蚀刻气体的质量流动。所述的流率控制单元将蚀刻气体输配给与质量流动控制单元相连、并安装在内室中的一个顶部气体注射器和一个侧部气体注射器。所述的调节气体控制单元向质量流动控制单元和流率控制单元输配并补充一种外加气体和调节气体，这些气体能调节内室中等离子体的离子密度和分布。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 气体 控制系统 | ||
【主权项】：
一种蚀刻气体的控制系统，其特征在于包括：一个质量流量控制单元，它控制那些输入到内室中的蚀刻气体的质量流量；一个流率控制单元，它将蚀刻气体输配给一个顶部气体注射器和一个侧部气体注射器，其中这两个注射器分别与质量流量控制单元相连，并均安装在内室中；和一个调节气体控制单元，它将一种外加气体和调节气体分别输配补充给质量流量控制单元和流率控制单元，其中所述的外加气体和调节气体会控制内室中等离子体的离子密度和分布。
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