[发明专利]一种制作半导体薄膜材料的方法无效
| 申请号： | 201010247769.5 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102375030A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅;汪幸;刘明;周文;侯成诚;闫学锋;谢常青;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体薄膜材料的方法，该方法是在声表面波气体传感器的制造过程中，在双延迟线型振荡器的一条延迟线上滴涂三乙醇胺与碳纳米管的混合溶液，并真空烘干而形成敏感膜的。本发明通过将研磨的碳纳米管加入三乙醇胺中配制聚合敏感膜，与纯的三乙醇胺传感器相比，三乙醇胺/碳纳米管传感器灵敏度、稳定性和检测质量都有很大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体薄膜材料的方法，其特征在于，该方法是在声表面波气体传感器的制造过程中，在双延迟线型振荡器的一条延迟线上滴涂三乙醇胺与碳纳米管的混合溶液，并真空烘干而形成敏感膜的。
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