[发明专利]在半导体芯片中构造MIM电容器的方法和MIM电容器有效
| 申请号： | 201010248569.1 | 申请日： | 2010-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101996864A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 夏为;陈向东;阿基拉·易托 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/92;H01L21/82;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 蔡晓红;纪媛媛 |
| 地址： | 美国加州尔湾市奥尔顿公园*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在半导体芯片中构造MIM电容器的方法和半导体芯片中的MIM电容器。在半导体芯片中构造MIM电容器的方法包括在基板上构造电介质一部以及在电介质一部上构造金属一部，所述金属一部形成MIM电容器的下电极。所述方法进一步包括在所述电介质一部上构造电介质二部以及在电介质二部上构造金属二部，所述金属二部的一部分形成所述MIM电容器的上电极。所述金属一部包括第一栅极金属。所述金属二部包括第二栅极金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 构造 mim 电容器 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体芯片中构造MIM电容器的方法，其特征在于，包括：在基板上构造电介质一部以及在所述电介质一部上构造金属一部，所述金属一部形成所述MIM电容器的下电极；在所述金属一部上构造电介质二部以及在所述电介质二部上构造金属二部，所述金属二部的一部分形成所述MIM电容器的上电极；所述金属一部包括第一栅极金属。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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