[发明专利]改进多层单元NAND闪速存储器的性能的方法和系统无效
| 申请号： | 201010248820.4 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101989232A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | R·E·弗里奇三世;J·M·休格斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;徐予红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明名称为“改进多层单元NAND闪速存储器的性能的方法和系统”。在本发明的一个实施例中，与MLC NAND闪速存储器中存储的数据相关联的元数据只在MLC NAND闪速存储器的一个或多个较低页中存储。MLC NAND闪速存储器具有较低和较高页，其中，在本发明的一个实施例中，较低页具有比较高页更快的编程时间或速率。通过仅在MLC NAND闪速存储器的具有低编程等待时间的页中存储元数据，能改进MLC NAND闪速存储器的服务质量(QoS)。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 多层 单元 nand 存储器 性能 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：仅在多层单元(MLC)NAND闪速存储器的一个或多个较低页中存储元数据。
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