[发明专利]半导体晶圆保持保护用粘合片、半导体晶圆的背面磨削方法无效
| 申请号： | 201010249200.2 | 申请日： | 2010-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101993667A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 水野浩二;浅井文辉;佐佐木贵俊 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J133/08;H01L21/68;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种半导体晶圆保持保护用粘合片及半导体晶圆的背面磨削方法，该粘合片能够有效地防止因近年来半导体晶圆的电路图案等的形成面中的凹凸引起的残胶。一种半导体晶圆保持保护用粘合片，其是用于粘附在半导体晶圆表面来保持保护半导体晶圆的粘合片(40)，中间层(20)及粘合剂层(30)以该顺序配置在基材层(10)的单面，粘合剂层(30)利用辐射线固化型粘合剂以厚度1～50μm而形成，且断裂应力为0.5～10MPa，中间层(20)以厚度10～500μm而形成，且弹性模量为0.01～5MPa。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 保持 保护 粘合 背面 磨削 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆保持保护用粘合片，其特征在于，该粘合片用于粘附在半导体晶圆表面来保持保护半导体晶圆，其中，中间层及粘合剂层以该顺序配置在基材层的单面，所述粘合剂层利用辐射线固化型粘合剂以厚度1～50μm而形成，且断裂应力为0.5～10MPa，所述中间层以厚度10～500μm而形成，弹性模量为0.01～3MPa。
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