[发明专利]发光二极管封装结构无效

专利信息
申请号: 201010250186.8 申请日: 2010-08-11
公开(公告)号: CN102376842A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 董朝宪;裴建昌 申请(专利权)人: 亿广科技(上海)有限公司;亿光电子工业股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/56;H01L33/54
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭蔚
地址: 201203 上海市张江*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种发光二极管封装结构,包括一基底、至少一发光二极管芯片、一挡板以及一透光盖板。发光二极管芯片配置于基底上并与基底电性连接。挡板配置于基底上并环绕发光二极管芯片,挡板具有一开口以暴露出发光二极管芯片。挡板的材质包括一不透明的吸光材料。透光盖板配置于挡板上并覆盖挡板的开口。
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【主权项】:
一种发光二极管封装结构,包括:一基底;至少一发光二极管芯片,配置于该基底上并与该基底电性连接;一挡板,配置于该基底上并环绕该发光二极管芯片,该挡板具有一开口以暴露出该发光二极管芯片,该挡板的材质包括一不透明的吸光材料;以及一透光盖板,配置于该挡板上并覆盖该挡板的开口。
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