[发明专利]提高光刻胶抗刻蚀能力的方法无效
| 申请号： | 201010250525.2 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101944483A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/311;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种提高光刻胶抗刻蚀能力的方法，其特点是利用低温淀积二氧化硅(LTO)技术，在完成底部抗反射涂层干法刻蚀后，在光刻胶和底部抗反射涂层外表面淀积薄膜二氧化硅，随后进行干法回刻操作，进而在光刻图形侧壁底部形成二氧化硅保护侧墙，进而提高材料整体抗刻蚀能力。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 光刻 刻蚀 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种提高光刻胶抗刻蚀能力的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上涂布底部抗反射涂层；在所述底部抗反射涂层上涂布光刻胶；对所述光刻胶进行曝光、显影，露出部分底部抗反射涂层；对所述露出的底部抗反射涂层进行刻蚀，直至露出所述半导体衬底；利用低温淀积二氧化硅技术，在上述结构外表面淀积二氧化硅薄膜；对所述二氧化硅薄膜进行干法回刻刻蚀操作，形成二氧化硅保护侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
