[发明专利]移相掩模板结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010250531.8 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101943855A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种移相掩模板结构及其制造方法，该移相掩模板结构包括：掩模板基板；移相消光层，设置于所述掩模板基板上；选择性外延淀积保护膜，设置于所述移相消光层上，其中所述选择性外延淀积保护膜为二氧化硅，多晶硅，碳化硅，氮氧化硅，碳氧化硅，或氮化硅。本发明提出的移相掩模板结构及其制造方法，省略了常规掩模板使用的金属铬，降低了制造成本而且依靠选择性外延淀积技术，用对移相层具有高湿法刻蚀选择比的材料取代金属铬，降低二次干法刻蚀工艺操作对掩模板产生的损伤，提高掩模板性能和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 移相掩 模板 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种移相掩模板结构，其特征在于，包括：掩模板基板；移相消光层，设置于所述掩模板基板上；选择性外延淀积保护膜，设置于所述移相消光层上。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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