[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

在通过隐形切割来分割半导体晶片1W的情况下，使切断区域CR的测试用焊盘1LBt和对准标线Am靠近切断区域CR的宽度方向的一侧而进行配置，将用于形成改质区域PR的激光束照射到在平面上远离测试用焊盘1LBt和对准标线Am靠近切断区域CR的位置。由此，就能够在采用了隐形切割的半导体晶片的切断处理中降低或者防止切断形状缺陷。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)提供具有包括主面以及与所述主面相反的背面的衬底的半导体晶片，层间绝缘膜形成于所述衬底的所述主面上，第一芯片区域形成在所述衬底的所述主面上方，第二芯片区域形成在所述衬底的所述主面上方并且被设置为与所述第一芯片区域相邻，分离区域形成在所述衬底的所述主面上方并且在平面图中形成于所述第一芯片区域和所述第二芯片区域之间，金属图案形成于所述衬底的所述主面上方并且在平面图中形成于所述分离区域中并且在平面图中设置在所述第一芯片区域和所述第二芯片区域之间，所述层间绝缘膜具有布线层和低介电常数膜，所述衬底包括硅，以及所述低介电常数膜比所述衬底更脆；(b)在步骤(a)之后，利用激光器沿着所述分离区域以及在平面图中所述第一芯片区域和所述第二芯片区域之间进行照射，从而在所述半导体晶片的所述分离区域中形成第一改质区域，并且利用激光器沿着所述分离区域以及在平面图中在所述第二芯片区域和所述金属图案之间进行照射，从而在所述半导体晶片的所述分离区域中形成第二改质区域，其中由所述激光器来分别照射在平面图中不与所述金属图案重叠的部分；以及(c)在步骤(b)之后，通过沿着所述分离区域以及在平面图中的所述第一改质区域和所述第二改质区域之间运行切割器，来除去所述金属图案、所述层间绝缘膜以及所述衬底的一部分，其中所述切割器的宽度小于所述第一改质区域和所述第二改质区域之间的距离。