[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201010250743.6 | 申请日: | 2010-08-10 |
公开(公告)号: | CN102244032A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 柯俊成;谢棋君;侯上勇;邱文智;郑心圃;余振华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/52 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该方法包括如下步骤:在一介电板上印制多个导电图案,以形成一预制墨印板,且将预制墨印板接合至一基底的一侧。导电特征部件包括一基底通孔电极自基底的一第一侧延伸至基底的一第二侧,其相对于第一侧。涂覆一导电材料,以将导电图案电性耦接至基底的导电特征部件。本发明的半导体装置的晶片及芯片内不会因形成内连线结构而产生热致应力。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,包括:提供一基底,其包括一导电特征部件,其中该导电特征部件包括一基底通孔电极自该基底的一第一侧延伸至该基底的一第二侧,其相对于该第一侧;提供一第一介电板;在该第一介电板上印制多个第一导电图案,以形成一第一预制墨印板;将该第一预制墨印板接合至该基底的该第一侧上;以及涂覆一导电材料,以将所述多个第一导电图案电性耦接至该基底的该导电特征部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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