[发明专利]SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一基区、一N型埋层、一发射区、一集电区。基区的纵向深度大于浅槽场氧底部的深度且基区在横向上覆盖了至少两个相邻的有源区。N型埋层形成于和基区相邻的浅槽场氧的底部并和基区形成接触并通过在N型埋层顶部的浅槽场氧中做深孔接触引出基极。发射区和集电区分别由形成于基区所覆盖的不同有源区上的P型锗硅外延层组成。本发明还公开了一种SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件的制造方法。本发明能用作高速、高增益HBT电路中的输出器件，无须额外的工艺条件即可实现为电路提供多一种器件选择。

主权项

一种SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述横向型寄生PNP器件包括：一基区，由形成于所述有源区中的N型离子注入区组成，所述基区的纵向深度大于所述浅槽场氧底部的深度，所述基区在横向上覆盖了至少两个相邻的由所述浅槽场氧隔离的所述有源区；一N型埋层，由形成于和所述基区相邻的所述浅槽场氧的底部的N型离子注入区组成，所述N型埋层和所述基区形成接触并通过在所述N型埋层顶部的所述浅槽场氧中做深孔接触引出基极；一发射区，由形成于所述基区所覆盖的一个所述有源区上的一P型锗硅外延层组成，所述发射区和所述基区形成接触并通过形成于所述发射区顶部的金属接触引出发射极；一集电区，由形成于所述基区所覆盖且和所述发射区相邻的所述有源区上的一P型锗硅外延层组成，所述集电区和所述基区形成接触并通过形成于所述集电区顶部的金属接触引出集电极。